| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI4386DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SI4386DY-T1-E3 VISHAY | 单 N沟道 30 V 7 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO 型号：SI4386DY-T1-E3 仓库库存编号：SI4386DY-T1-E3CT-ND 别名：SI4386DY-T1-E3CT | 无铅 |
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 | SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 7 毫欧 @ 16A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 11A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 18nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 1.47W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装 ： | 8-SOICN |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
