| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI4320DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SI4320DY-T1-E3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO 型号：SI4320DY-T1-E3 仓库库存编号：SI4320DY-T1-E3-ND | 无铅 |
PDF查询| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3 毫欧 @ 25A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 70nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 6500pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 1.6W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SOICN |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
