产品目录绘图 : | DV-T1-E3 Series 6-TSOP |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 二极管(隔离式) |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 1.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 200 毫欧 @ 1.8A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 500mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 4nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | - |
功率 - 最大 : | 830mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 6-TSOP(0.065", 1.65mm 宽) |
供应商设备封装 : | 6-TSOP |
包装 : | 剪切带 (CT) |