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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SI2305DS-T1-E3 - MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
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SI2305DS-T1-E3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI2305DS-T1-E3
制造商型号: SI2305DS-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
产品目录绘图 : SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
标准包装 : 1
系列 : TrenchFET®
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 52 毫欧 @ 3.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss) : 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1245pF @ 4V
功率 - 最大 : 1.25W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : SOT-23-3 (TO-236)
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI2305DS-T1-E3
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