| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI1905BDH-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | | 272 3000起订 | 1-3周 | 询价 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI1905BDH-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 8.0V 0.63A 0.357W RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI1905BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) 型号：SI1905BDH-T1-E3 仓库库存编号：SI1905BDH-T1-E3-ND |  | 搜索 |
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 | SI1905BDH-T1-E3 VISHAY | Dual P Channel 8 V 542 mOhm Surface Mount Power MosFet - SC-70-6 | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 630mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 542 毫欧 @ 580mA, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 1.5nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 62pF @ 4V |
| 功率 - 最大 ： | 357mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备封装 ： | SC-70-6 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
