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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Vishay Siliconix - SI1900DL-T1-E3 - MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
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SI1900DL-T1-E3|Vishay Siliconix
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SI1900DL-T1-E3
制造商型号: SI1900DL-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : TrenchFET®
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 590mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 480 毫欧 @ 590mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 1.4nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 270mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : SC-70-6
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI1900DL-T1-E3
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