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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Vishay Siliconix - SI1563EDH-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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SI1563EDH-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI1563EDH-T1-GE3
制造商型号: SI1563EDH-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : TrenchFET®
FET 型 : N 和 P 沟道
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 1.13A, 880mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 280 毫欧 @ 1.13A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 450mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 570mW
安装类型 : *
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : SC-70-6
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI1563EDH-T1-GE3
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