| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI1419DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SI1419DH-T1-E3 VISHAY | P-Channel 200 V 5 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - SC-70-3  | 查价格库存 查看详细 |
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 | SI1419DH-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6 | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6 详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363） 型号：SI1419DH-T1-E3 仓库库存编号：SI1419DH-T1-E3CT-ND 别名：SI1419DH-T1-E3CT | 无铅 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI1419DH-T1-E3 VISHAY | P-Channel 200 V 5 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - SC-70-3 | 查价格库存 查看详细 |
 | SI1419DH-T1-E3 VISHAY SILICONIX | MOSFET 200V 0.38A 1.56W 5.0 ohms @ 10V | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | DL-T1-E3 Series SOT-363 |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5 欧姆 @ 400mA, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 300mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 6.2nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 1W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备封装 ： | SC-70-6 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
