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RZR025P01TL [更多] | ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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RZR025P01TL [更多] | ROHM Semiconductor | MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A RoHS: Compliant | 搜索 |
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RZR025P01TL [更多] | ROHM Semiconductor | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 12V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET | 搜索 |
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RZR025P01TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3 详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3 型号:RZR025P01TL 仓库库存编号:RZR025P01TLCT-ND 别名:RZR025P01TLCT <br> | 无铅 | 搜索 |
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RZR025P01TL![]() | 2143956 | ROHM 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -300 mV ![]() | 搜索 |
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产品目录绘图 : | RxR0 Series TSMT-3 |
特色产品 : | ECOMOS? Series MOSFETs |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 61 毫欧 @ 2.5A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 2.5A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 13nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1350pF @ 6V |
功率 - 最大 : | 1W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TSMT3 |
供应商设备封装 : | TSMT3 |
包装 : | 剪切带 (CT) |