PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 105 毫欧 @ 2A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 6.5nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大 ： | 1W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | TSMT3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
