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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Renesas Electronics America - RJK0226DNS-00#J5 - MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
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RJK0226DNS-00#J5|Renesas Electronics America
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RJK0226DNS-00#J5
制造商型号: RJK0226DNS-00#J5
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 2.8 毫欧 @ 20A, 8V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : -
闸电荷(Qg) @ Vgs : 31nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 6020pF @ 10V
功率 - 最大 : 30W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装 : 8-HVSON
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: RJK0226DNS-00#J5
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