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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Renesas Electronics America - RJH60D6DPK-00#T0 - IGBT 600V 80A 260W TO3P
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RJH60D6DPK-00#T0|Renesas Electronics America
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RJH60D6DPK-00#T0
制造商型号: RJH60D6DPK-00#T0
制造商: Renesas Electronics America
描述: IGBT 600V 80A 260W TO3P
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
IGBT 类型 : 沟道
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 2.2V @ 15V, 40A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 80A
功率 - 最大 : 260W
输入类型 : 标准型
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装 : TO-3P
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: RJH60D6DPK-00#T0
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