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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Renesas Electronics America - RJH1CF6RDPQ-80#T2 - IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
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RJH1CF6RDPQ-80#T2|Renesas Electronics America
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RJH1CF6RDPQ-80#T2
制造商型号: RJH1CF6RDPQ-80#T2
制造商: Renesas Electronics America
描述: IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
IGBT 类型 : -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 2.3V @ 15V, 30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 55A
功率 - 最大 : 227.2W
输入类型 : 标准型
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247-3
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: RJH1CF6RDPQ-80#T2
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