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分离式半导体 - 阵列﹐数字式 - NXP Semiconductors - PUMD14,115 - TRANS PREBIASED DUAL SOT666
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PUMD14,115|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PUMD14,115
制造商型号: PUMD14,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: TRANS PREBIASED DUAL SOT666
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : -
晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : 47K
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 100 @ 1mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : 150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) : 1µA
频率 - 转换 : -
功率 - 最大 : 300mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : 6-TSSOP
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PUMD14,115
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