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分离式半导体 - RF FET - Infineon Technologies - PTFB211501E V1 - FET RF LDMOS 150W H36248-2
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PTFB211501E V1|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PTFB211501E V1
制造商型号: PTFB211501E V1
制造商: Infineon Technologies
描述: FET RF LDMOS 150W H36248-2
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 50
系列 : -
晶体管类型 : LDMOS
频率 : 2.17GHz
增益 : 18dB
电压 - 测试 : 30V
额定电流 : -
噪音数据 : -
电流 - 测试 : 1.2A
功率 - 输出 : 140W
额定电压 : 65V
封装/外壳 : 2-扁平封装,叶片引线
供应商设备封装 : H-36248-2
包装 : 托盘

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PTFB211501E V1
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