| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PSMN012-60YS,115 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| PSMN012-60YS,115 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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| PSMN012-60YS,115 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK rdson 0.0178 OHM Power SO8 package RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PSMN012-60YS,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PSMN012-60YS 115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PSMN012-60YS,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PSMN012-60YS115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 60V 59A 4-SOT-669 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PSMN012-60YS,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | PSMN012-60YS,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PSMN012-60YS115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 60V 59A 4-SOT-669 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8 型号：PSMN012-60YS,115 仓库库存编号：1727-4288-1-ND 别名：1727-4288-1 <br>568-4977-1 <br>568-4977-1-ND <br> |  | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 11.1 毫欧 @ 15A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 28.4nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1685pF @ 30V |
| 功率 - 最大 ： | 89W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SC-100, SOT-669 |
| 供应商设备封装 ： | LFPAK, Power-SO8 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
