产品目录绘图 : | SOT-23 MOSFET |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchMOS™ |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 3.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 76 毫欧 @ 2.8A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 950mV @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 7.6nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 725pF @ 20V |
功率 - 最大 : | 1.92W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 : | TO-236AB |
包装 : | 剪切带 (CT) |