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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - NXP Semiconductors - PMGD8000LN,115 - MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
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PMGD8000LN,115|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMGD8000LN,115
制造商型号: PMGD8000LN,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : PMB, PMG Series SOT-363
标准包装 : 1
系列 : TrenchMOS™
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 125mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 8 欧姆 @ 10mA, 4V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 350pC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 18.5pF @ 5V
功率 - 最大 : 200mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : 6-TSSOP
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PMGD8000LN,115
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