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分离式半导体 - JFET 结点场效应 - NXP Semiconductors - PMBFJ174,215 - JFET P-CHAN 30V SOT-23
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PMBFJ174,215|NXP Semiconductors
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PMBFJ174,215
制造商型号: PMBFJ174,215
制造商: NXP Semiconductors
描述: JFET P-CHAN 30V SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : SOT-23 MOSFET
标准包装 : 1
系列 : -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) : 20mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
漏极电流 (Id) - 最大 : -
FET 型 : P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) : 30V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id : 5V @ 10nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 8pF @ 10V (VGS)
电阻 - RDS(开) : 85 欧姆
安装类型 : 表面贴装
包装 : 剪切带 (CT)
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : TO-236AB
功率 - 最大 : 300mW

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PMBFJ174,215
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