标准包装 : | 50 |
系列 : | µRDS(on)FET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 5V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 60A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 0.45 毫欧 @ 60A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 800 mV @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 65nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 7600pF @ 5V |
功率 - 最大 : | 3.1W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | * |
供应商设备封装 : | * |
包装 : | 带卷 (TR) |