| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PHM30NQ10T,518 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | PHM30NQ10T,518 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1  | 查价格库存 查看详细 |
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| PHM30NQ10T,518 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON | 查价格库存 查看详细 |
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| PHM30NQ10T,518 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON | 查价格库存 查看详细 |
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 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 37.6A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5） 型号：PHM30NQ10T,518 仓库库存编号：PHM30NQ10T,518-ND 别名：934057308518 PHM30NQ10T /T3 PHM30NQ10T /T3-ND | 无铅 |
PDF查询| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | TrenchMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 37.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 20 毫欧 @ 18A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 53.7nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 62.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 ： | 8-HVSON |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
