PDF查询| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | TrenchMOS™ |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 10.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 20 毫欧 @ 3A, 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 15.3nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 950pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 4.17W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
