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PHD16N03LT,118 [更多] | NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS
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PHD16N03LT,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 16A SOT428 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 16A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 32.6W(Tc) DPAK 型号:PHD16N03LT,118 仓库库存编号:PHD16N03LT,118-ND 别名:934057927118 <br>PHD16N03LT /T3 <br>PHD16N03LT /T3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 2,500 |
系列 : | TrenchMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 16A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 67 毫欧 @ 16A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 8.5nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 210pF @ 30V |
功率 - 最大 : | 32.6W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 : | D-Pak |
包装 : | 带卷 (TR) |