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| PHD16N03LT,118 [更多] | NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS
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 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 16A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 32.6W（Tc） DPAK 型号：PHD16N03LT,118 仓库库存编号：PHD16N03LT,118-ND 别名：934057927118 <br>PHD16N03LT /T3 <br>PHD16N03LT /T3-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | TrenchMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 67 毫欧 @ 16A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 8.5nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 210pF @ 30V |
| 功率 - 最大 ： | 32.6W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
