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分离式半导体 - 单路﹐数字式 - NXP Semiconductors - PDTC123JT,215 - TRANS NPN 50V 100MA SOT23
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TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7

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PDTC123JT,235
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Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN W/RES 50V

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PDTC123JT T/R
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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

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PDTC123JT,215
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: PDTC123JT,215)

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R

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TRANSISTOR, RF, NPN, 50V, SOT-23-3

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PDTC123J Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-23-3

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PDTC123J Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-23-3

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无图PDTC123JT 215
NXP Semiconductors
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
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PDTC123JT,215|NXPPDTC123JT,215
NXP
PDTC123J 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23
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NXP
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NXP Semiconductors
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PDTC123JT,215|NXP SemiconductorsPDTC123JT,215
NXP Semiconductors
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PDTC123JT,215|NXPPDTC123JT,215
NXP
PDTC123J 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23
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PDTC123JT,215|NXP SemiconductorsPDTC123JT,215
NXP Semiconductors
TRANS NPN 50V 100MA SOT23
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Nexperia - PDTC123JT,215 - NXP PDTC123JT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号:
PDTC123JT,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2905
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PDTC123JT,215
NEXPERIA PDTC123JT,215
2319395

NEXPERIA

晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

(EN)
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PDTC123JT,215|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PDTC123JT,215
制造商型号: PDTC123JT,215
制造商: NXP Semiconductors
描述: TRANS NPN 50V 100MA SOT23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
晶体管类型 : NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : 2.2K
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : 47K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 100 @ 10mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : 100mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大) : 1µA
频率 - 转换 : -
功率 - 最大 : 250mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : TO-236AB
包装 : 剪切带 (CT)

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