| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PBRP113ZT,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 40V SOT23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | PBRP113ZT,215 NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 40V SOT23  | 查价格库存 查看详细 |
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 | PBRP113ZT 215 NXP Semiconductors | 开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) 型号：PBRP113ZT,215 仓库库存编号：1727-5713-1-ND 别名：1727-5713-1 568-7258-1 568-7258-1-ND | 无铅 |
PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 40V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） ： | 1K |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） ： | 10K |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： | 230 @ 300mA, 5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ： | 750mV @ 6mA, 600mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | 500nA |
| 频率 - 转换 ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 250mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-236AB |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
