标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
晶体管类型 : | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : | 100mA, 3A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : | 50V, 20V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : | 4.7K |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : | 4.7K |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) : | 1µA, 100nA |
频率 - 转换 : | 100MHz |
功率 - 最大 : | 1.5W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 剪切带 (CT) |