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分离式半导体 - MOSFET - 单 - ON Semiconductor - NTTFS4800NTAG - MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
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NTTFS4800NTAG
库存编号:2156-NTTFS4800NTAG-ND
Rochester Electronics LLC MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN13500
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NTTFS4800NTAG
库存编号:NTTFS4800NTAGOSTR-ND
onsemi MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN0
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ON Semiconductor - NTTFS4800NTAG - MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta),32A(Tc) 860mW(Ta),33.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

型号:NTTFS4800NTAG
仓库库存编号:NTTFS4800NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4800NTAGOSCT <br>

无铅
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NTTFS4800NTAG|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTTFS4800NTAG
制造商型号: NTTFS4800NTAG
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : 8-WDFN
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 20 毫欧 @ 20A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 5A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 16.6nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 964pF @ 15V
功率 - 最大 : 860mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装 : 8-WDFN
包装 : 剪切带 (CT)

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