PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 9A, 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 12 毫欧 @ 10A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 50nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大 ： | 1.5W |
| 安装类型 ： | * |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SOIC |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
