产品变化通告 : | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
标准包装 : | 2,500 |
系列 : | - |
FET 型 : | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 16V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 2.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 100 毫欧 @ 2.4A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 18nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 750pF @ 16V |
功率 - 最大 : | 710mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SOICN |
包装 : | 带卷 (TR) |