产品变化通告 : | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 4.3A, 3.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 60 毫欧 @ 4.3A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 4nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 480pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1.74W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 6-VFDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 : | 6-DFN |
包装 : | 剪切带 (CT) |