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分离式半导体 - MOSFET - 单 - ON Semiconductor - NTJS3151PT2G - MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
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NTJS3151PT2G|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTJS3151PT2G
制造商型号: NTJS3151PT2G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品变化通告 : LTB Notification
标准包装 : 3,000
系列 : -
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 60 毫欧 @ 3.3A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 400mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 850pF @ 12V
功率 - 最大 : 625mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : SOT-363
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: NTJS3151PT2G
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