PDF查询| 产品变化通告 ： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装 ： | 10,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V, 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 630mA, 775mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 375 毫欧 @ 630mA, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 3nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 46pF @ 20V |
| 功率 - 最大 ： | 270mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-363 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
