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分离式半导体 - MOSFET - 单 - ON Semiconductor - NTB90N02T4 - MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
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NTB90N02T4
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ON Semiconductor

MOSFET 28V 90A N-Channel

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ON Semiconductor

MOSFET 28V 90A N-Channel

RoHS: Compliant

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ON Semiconductor - NTB90N02T4 - MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 90A(Ta) 85W(Tc) D2PAK

型号:NTB90N02T4
仓库库存编号:NTB90N02T4OSCT-ND
别名:NTB90N02T4OSCT <br>

含铅
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ON Semiconductor - NTB90N02T4G - MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 90A(Ta) 85W(Tc) D2PAK

型号:NTB90N02T4G
仓库库存编号:NTB90N02T4GOSCT-ND
别名:NTB90N02T4GOSCT <br>

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NTB90N02T4|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTB90N02T4
制造商型号: NTB90N02T4
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品变化通告 : Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装 : 10
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 5.8 毫欧 @ 90A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 29nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2120pF @ 20V
功率 - 最大 : 85W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D2PAK
包装 : 剪切带 (CT)

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