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ON Semiconductor - NTB75N03L09T4 - MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK

型号:NTB75N03L09T4
仓库库存编号:NTB75N03L09T4OS-ND
别名:NTB75N03L09T4OS
含铅

ON Semiconductor - NTB75N03L09T4G - MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK

型号:NTB75N03L09T4G
仓库库存编号:NTB75N03L09T4GOS-ND
别名:NTB75N03L09T4GOS
无铅
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NTB75N03L09T4|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NTB75N03L09T4
制造商型号: NTB75N03L09T4
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品变化通告 : Product Obsolescence 11/Feb/2009
标准包装 : 800
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 8 毫欧 @ 37.5A, 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 75nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 5635pF @ 25V
功率 - 最大 : 2.5W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D2PAK
包装 : 带卷 (TR)

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