PDF查询| 产品变化通告 ： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 360 毫欧 @ 350mA, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 2.1nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 156pF @ 5V |
| 功率 - 最大 ： | 301mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SC-75, SOT-416 |
| 供应商设备封装 ： | SC-75 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
