PDF查询| 产品培训模块 ： | Low Vce(sat) BJT Power Savings |
| 产品变化通告 ： | Wire Bond Change 07/Sept/2011 |
| 产品目录绘图 ： | Transistor 3-WDFN |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 12V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ： | 260mV @ 400mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： | 200 @ 2A, 2V |
| 功率 - 最大 ： | 875mW |
| 频率 - 转换 ： | 100MHz |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 3-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 ： | 3-WDFN |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
