PDF查询| 产品变化通告 ： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 产品目录绘图 ： | Transistor SOT-563 Pkg |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） ： | 10K |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） ： | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： | 160 @ 5mA, 10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ： | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | 500nA |
| 频率 - 转换 ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商设备封装 ： | SOT-563 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
