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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Renesas Electronics America - NP80N055NDG-S18-AY - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
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NP80N055NDG-S18-AY
制造商型号: NP80N055NDG-S18-AY
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 50
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 6.9 毫欧 @ 40A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 135nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 6900pF @ 25V
功率 - 最大 : 1.8W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装 : TO-262
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: NP80N055NDG-S18-AY
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