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分离式半导体 - RF 晶体管 (BJT) - CEL - NESG4030M14-T3-A - TRANS RF NPN 5.8GHZ 3V 35MA M14
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NESG340034-T1-A
库存编号:2156-NESG340034-T1-A-ND
Rochester Electronics LLC RF BIPOLAR TRANSISTOR0
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NESG340034-T1-A
库存编号:86125086
Renesas Electronics CorporationNPN Silicon Germanium RF Transistor161000
625起订
625+
1000+
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¥7.61
1-2周购买 购买
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Renesas Electronics Corporation  

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NESG4030M14-T3-A|CEL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NESG4030M14-T3-A
制造商型号: NESG4030M14-T3-A
制造商: CEL
描述: TRANS RF NPN 5.8GHZ 3V 35MA M14
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 10,000
系列 : -
晶体管类型 : NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 3V
频率 - 转换 : -
噪声系数(dB典型值@频率) : 1.1dB @ 5.8GHz
增益 : 11.5dB
功率 - 最大 : 105mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 270 @ 6mA, 2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 35mA
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 4-UMM 扁平引线
供应商设备封装 : 4L2MM, M14
包装 : 带卷 (TR)

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