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分离式半导体 - RF 晶体管 (BJT) - CEL - NESG2101M05-A - TRANS NPN 2GHZ M05
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NESG2101M05-A|CEL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NESG2101M05-A
制造商型号: NESG2101M05-A
制造商: CEL
描述: TRANS NPN 2GHZ M05
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : NE3, NE6 Series
标准包装 : 1
系列 : -
晶体管类型 : NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 5V
频率 - 转换 : 17GHz
噪声系数(dB典型值@频率) : 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益 : 11dB ~ 19dB
功率 - 最大 : 500mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 130 @ 15mA, 2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 100mA
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : M05
供应商设备封装 : SOT-343
包装 : 散装

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: NESG2101M05-A
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