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分离式半导体 - RF 晶体管 (BJT) - CEL - NE68133-T1B-R33-A - TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23
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NE68133-T1B-R33-A|CEL
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NE68133-T1B-R33-A
制造商型号: NE68133-T1B-R33-A
制造商: CEL
描述: TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : -
晶体管类型 : NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 10V
频率 - 转换 : 9GHz
噪声系数(dB典型值@频率) : 1.2dB @ 1GHz
增益 : 13dB
功率 - 最大 : 200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 50 @ 7mA, 3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 65mA
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : SOT-23
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: NE68133-T1B-R33-A
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