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| NE3511S02-T1C-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS: Compliant | 搜索 |
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| NE3511S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NE3511S02-T1C-A CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | NE3511 系列 4 GHz L 至 S 频段 低噪声 放大器 HJ-FET - S0-2  | 查价格库存 查看详细 |
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 | CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02 详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 型号：NE3511S02-T1C-A 仓库库存编号：NE3511S02-T1C-ACT-ND 别名：NE3511S02-T1C-ACT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 2,000 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | HFET |
| 频率 ： | 12GHz |
| 增益 ： | 13.5dB |
| 电压 - 测试 ： | 2V |
| 额定电流 ： | 70mA |
| 噪音数据 ： | 0.3dB |
| 电流 - 测试 ： | 10mA |
| 功率 - 输出 ： | - |
| 额定电压 ： | 4V |
| 封装/外壳 ： | 4-SMD, 扁平引线 |
| 供应商设备封装 ： | S02 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
