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分离式半导体 - MOSFET - 单 - ON Semiconductor - NDD04N50ZT4G - MOSFET HV N-CH 500V 3A DPAK
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ON Semiconductor - NDD04N50ZT4G - MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 61W(Tc) DPAK

型号:NDD04N50ZT4G
仓库库存编号:NDD04N50ZT4GOSCT-ND
别名:NDD04N50ZT4GOSCT
无铅
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ON Semiconductor - NDD04N50ZT4G - 3-Pin DPAK 500 V 3 A NDD04N50ZT4G N-channel MOSFET Transistor|70341179 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
NDD04N50ZT4G N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK


型号:NDD04N50ZT4G
仓库库存编号:70341179

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NDD04N50ZT4G|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NDD04N50ZT4G
制造商型号: NDD04N50ZT4G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET HV N-CH 500V 3A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : MOSFET DPAK Pkg
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 2.7 欧姆 @ 1.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 12nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 308pF @ 25V
功率 - 最大 : 61W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : D-Pak
包装 : 剪切带 (CT)

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