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集成电路 (IC) - 存储器 - Numonyx - A Division of Micron Semiconductor Products, Inc. - NAND512R3A2DZA6E - IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
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NAND512R3A2DZA6E
库存编号:NAND512R3A2DZA6E-ND
Micron Technology Inc IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA0
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NAND512R3A2DZA6E STMicroelectronics FLASH, 64MX8, 15000NS, PBGA6328
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Micron Technology Inc. - NAND512R3A2DZA6E - IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 50ns 63-VFBGA(9x11)

型号:NAND512R3A2DZA6E
仓库库存编号:NAND512R3A2DZA6E-ND
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NAND512R3A2DZA6E|Numonyx - A Division of Micron Semiconductor Products, Inc.
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NAND512R3A2DZA6E
制造商型号: NAND512R3A2DZA6E
制造商: Numonyx - A Division of Micron Semiconductor Products, Inc.
描述: IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1,260
系列 : -
格式 - 存储器 : FLASH
存储器类型 : FLASH - NAND
存储容量 : 512M (64M x 8)
速度 : -
接口 : Parallel (Byte-wide)
电源电压 : 1.7 V ~ 1.95 V
工作温度 : -40°C ~ 85°C
封装/外壳 : 63-TFBGA
供应商设备封装 : 63-VFBGA (9x11)
包装 : 托盘

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