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MUN5213DW1T3G [更多] | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
NSVMUN5213DW1T3G [更多] | ON Semiconductor | TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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MUN5213DW1T1G [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V RoHS: Compliant | 搜索 |
MUN5213DW1T3G [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V RoHS: Compliant | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
MUN5213DW1T3G [更多] | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: MUN5213DW1T3G) RoHS: Compliant | 搜索 |
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MUN5213DW1T3G [更多] | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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MUN5213DW1T3G | ON Semiconductor | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363 | 查看库存、价格及货期 |
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标准包装 : | 10,000 |
系列 : | - |
晶体管类型 : | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : | 47K |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : | 47K |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : | 80 @ 5mA, 10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : | 250mV @ 300µA, 10mA |
电流 - 集电极截止(最大) : | 500nA |
频率 - 转换 : | - |
功率 - 最大 : | 250mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商设备封装 : | SOT-363 |
包装 : | 带卷 (TR) |