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ON Semiconductor - MMDF2C03HDR2G - MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC

型号:MMDF2C03HDR2G
仓库库存编号:MMDF2C03HDR2GOSCT-ND
别名:MMDF2C03HDR2GOSCT
无铅
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MMDF2C03HDR2G|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MMDF2C03HDR2G
制造商型号: MMDF2C03HDR2G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品变化通告 : Product Obsolescence 14/Apr/2010
产品目录绘图 : MOSFET 8-SOIC
标准包装 : 10
系列 : -
FET 型 : N 和 P 沟道
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 4.1A, 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 70 毫欧 @ 3A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 16nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 630pF @ 24V
功率 - 最大 : 2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SOICN
包装 : 剪切带 (CT)

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