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半导体模块 - IGBT - IXYS - MKI75-12E8 - MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3
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MKI75-12E8
制造商型号: MKI75-12E8
制造商: IXYS
描述: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 5
系列 : -
IGBT 类型 : NPT
配置 : 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 2.5V @ 15V, 75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 130A
电流 - 集电极截止(最大) : 1.1mA
Vce 时的输入电容 (Cies) : 5.7nF @ 25V
功率 - 最大 : 500W
输入 : 标准型
NTC 热敏电阻 :
安装类型 : 底座安装
封装/外壳 : E3
供应商设备封装 : E3

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: MKI75-12E8
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