产品目录绘图 : | MCPH3 Package - P, N & N/P Channel Top |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | N 和 P 沟道 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 230 毫欧 @ 800mA, 4V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 1.6A, 1A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 1.4nC @ 4V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 105pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 800mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 6-MCPH |
供应商设备封装 : | 6-MCPH |
包装 : | 剪切带 (CT) |