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分离式半导体 - JFET 结点场效应 - NXP Semiconductors - J109,126 - JFET N-CH 25V 80MA SOT54
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J109,126
库存编号:J109,126-ND
NXP Semiconductors JFET N-CH 25V TO92-30
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Trans JFET N-CH 25V 40mA Si 3-Pin SPT Ammo

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NXP USA Inc. - J109,126 - JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
NXP USA Inc.
JFET N-CH 25V 0.4W SOT54

详细描述:JFET N-Channel 25V 400mW Through Hole TO-92-3

型号:J109,126
仓库库存编号:J109,126-ND
别名:934003860126 <br>J109 AMO <br>J109 AMO-ND <br>
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J109,126|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
J109,126
制造商型号: J109,126
制造商: NXP Semiconductors
描述: JFET N-CH 25V 80MA SOT54
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 2,000
系列 : -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) : 80mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss) : 25V
漏极电流 (Id) - 最大 : -
FET 型 : N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) : 25V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id : 2V @ 1µA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 30pF @ 10V (VGS)
电阻 - RDS(开) : 12 欧姆
安装类型 : 通孔
包装 : 带盒 (TB)
封装/外壳 : TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线
供应商设备封装 : TO-92-3
功率 - 最大 : 400mW

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: J109,126
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