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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXTY12N06T - MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
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IXTY12N06T|IXYS
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IXTY12N06T
制造商型号: IXTY12N06T
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
产品目录绘图 : TO-252(AA), DPAK-2 Package
标准包装 : 70
系列 : TrenchMV™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 85 毫欧 @ 500mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 3.4nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 256pF @ 25V
功率 - 最大 : 33W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : TO-252, (D-Pak)
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXTY12N06T
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